# Çok Parçalı Güneş Hücreleri Nasıl Daha İyi Kesilir? > Soochow Üniversitesi'nden bir Nano Energy çalışması, 20 yıllık endüstri bilgeliğini altüst ediyor: düşük hasarlı kesim altında, p-n eklem tarafı aslında topluyor ![Çok Parçalı Güneş Hücreleri Nasıl Daha İyi Kesilir?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260805/15ce62ff44f3df3b9754e60099c852f1.webp) - ** 2026-08-05 - ** 175 Görüntülenme - ** [Blog](./Blog.html) ## Çok Parçalı Güneş Hücreleri Nasıl Daha İyi Kesilir? **Hızlı yanıt:** Tam bir hücreyi yarılara, üçte birlere veya daha küçük parçalara kesmek, her şeridin taşıdığı akımı azaltarak modül gücünü artırır, bu da şeritteki direnç kaybını düşürür. Şerit küçüldükçe fayda azalır ve mekanik maliyet artar. Üç yaklaşım baskındır. Lazerle çizme ve ardından mekanik kırma en hızlısıdır ve en az termal yük getirir, ancak kırılma kenarı kalitesi çizme derinliğine bağlıdır. Lazerle tam kesme, hücreyi yalnızca ışınla ayırır ve daha düşük hızda daha temiz bir kenar sağlar. Termal lazer ayırma, bir lazeri bir soğutma adımıyla birleştirir, böylece çatlak kontrollü bir yol boyunca ilerler. İlgili boyutlar 532 nm lazer dalga boyundan 1 µm ve 20 µm civarındaki özellik boyutlarından 100 µm'ye kadar uzanır ve şerit voltajı düşüktür — yaklaşık 0.55 V — bu nedenle kazançlar voltajdan değil dirençten gelir. PV Modül Üretimi · Jerry, Ooitech tarafından ## Giriş TOPCon"p-n ekleminin içsel elektriksel davranışını" incelemek için önce zorlu bir sorunu çözmeniz gerekir. Geleneksel Daha yüksek modül gücü peşinde koşan mühendisler, genellikle büyük bir hücreyi 1/2, 1/3 veya daha fazla "küçük hücreye" dilimler ve ardından bunları modül içinde seri ve paralel olarak yeniden bağlar. Amaç akımı kesmek ve dirençli güç kaybını azaltmaktır. Ancak her kesim, hücre kenarında pasifize edilmemiş bir "yara" bırakır. Bu yaralar taşıyıcı tuzaklarına dönüşür ve açık devre voltajını (Voc) ve doluluk faktörünü (FF) düşürür. Alt hücre ne kadar küçük olursa, bu kenar rekombinasyon kaybı o kadar zarar verir. Günümüzde en yaygın endüstri yöntemi olan "lazer çizimi + mekanik kırma" (L&C), kesim boyunca ciddi termal hasar bırakır. Ve yıllardır alan bir konuda hemfikirdir: p-n bağlantı tarafına çizim yapmak en fazla hasara neden olur, bu yüzden "p-n bağlantı tarafı kenar kaybının ana darboğazıdır". Bu inanç, "p-n bağlantısını korumak için n-n+ tarafından çizim yapma" standart hilesini doğurdu. Peki bu yaygın kabul gören "sağduyu" gerçekten p-n bağlantısının içsel elektriksel davranışını yansıtıyor mu? Yoksa sadece lazer ısısının bir eseri mi? ## Temel Bulgu: Konsensüsü Kıran İçsel Elektriksel Davranış Soochow Üniversitesi FUNSOM enstitüsündeki bir araştırma ekibi, "45° döner kırma" adını verdikleri yeni bir düşük hasarlı kesim yöntemi kullanarak Nano Energy'de bir çalışma yayınladı. Bu yöntem, lazer termal hasarından akıllıca kaçınır ve p-n bağlantı kenarının gerçek içsel elektriksel davranışını araştırır. Sonuç sektörü şaşırttı: Düşük hasarlı kesimde, p-n bağlantı tarafındaki kenar taşıyıcı toplama verimliliği aslında n-n+ tarafından daha yüksektir. Basitçe söylemek gerekirse: p-n bağlantı tarafından çizim yapmak daha iyi bir endüstriyel stratejidir. Bu, yirmi yıllık kabul görmüş uygulamayı tersine çevirir. ## Hücre Kenarını Zarar Vermeden Nasıl Açılır? kenar boyunca yeniden erimiş ve yeniden katılaşmış bir katman, ayrıca mikro çatlaklar ve bir yığın termal hasar bırakır ve tüm bunlar p-n ekleminin ve yüzey rekombinasyon davranışının herhangi bir gözlemini bulanıklaştırır. Ekip farklı bir yol izleyerek silikon kristallerinin anizotropik yarılma doğasını kullanarak bir "45° dönel yarma" yöntemi önerdi: [lazer kesim](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) leaves a re-melted and re-solidified layer, plus microcracks and a pile of thermal damage along the edge, and all of that muddies any observation of the p-n junction and the surface recombination behavior. The team went a different way, using the anisotropic cleaving nature of silicon crystals to propose a "45° rotational cleaving" method: Adım bir: gofreti düzlem içinde 45° döndürün. Adım iki: (100) düzlemi üzerinde elmas kalemle sığ bir çizgi önceden çizin. Adım üç: {110} düzlem ailesi boyunca yararak atomik düz, termal hasarsız bir kesit elde edin. Bu şekilde elde edilen kenar kesiti yapısal ve elektriksel bütünlüğünü korur. Mikrometre çözünürlüklü fotovoltaj görüntüleme tekniğiyle birleştirildiğinde, p-n eklemine zarar vermeden kenar yakınındaki elektriksel davranışı nokta nokta tarayabilirsiniz. Deneyde 532 nm lazer (nüfuz derinliği yaklaşık 1.3 µm) kullanıldı ve 50× objektif altında yaklaşık 1 µm uzamsal çözünürlüğe ulaşıldı; bu, kenarın onlarca mikrometre içindeki fotovoltaj sönüm davranışını yakalamak için yeterince netti. ## Deneysel Bulgular Şekil 1. Kesimin p-n eklem bütünlüğü üzerindeki etkisi (a, b), 45° döner yarma yönteminin şematik gösterimi (c, d) ve üç yüksek verimli hücre yapısının şematik gösterimi (e-g). Şekil 1a, p-n eklem tarafında geleneksel L&C işlemini göstermektedir: önce lazer hücre yüzeyinde bir oluk aşındırır (Lazer işareti), ardından mekanik kuvvet hücreyi kırar. Şekil 1b, L&C kesiminden sonra kenarın SEM kesitidir. Kesitin iki bölgeye ayrıldığını açıkça görebilirsiniz. Üst kısım "lazer ablasyon bölgesi" olup belirgin bir yeniden eritilmiş ve yeniden katılaşmış morfoloji gösterir. Alt kısım ise mekanik kuvvetle yırtılan ve çok sayıda düzensiz mikro çatlak ve eriyik havuzu bırakan "gerilim ayrılma bölgesi"dir. Bu termal hasar, kaçak akım artışını ve hücre performansındaki düşüşü tetikleyen şeydir. Dikkate değer: lazer p-n eklem tarafında çizdiğinde, p-n ekleminin kendisi ısı tarafından tamamen tahrip olur. Bu nedenle endüstrinin her zaman gördüğü "p-n eklem tarafının kenar kaybı darboğazı olduğu" olgusu aslında termal hasarın bir yapaylığıdır. Şekil 1c, burada önerilen 45° dönel yarma yöntemini göstermektedir: gofreti düzlem içi eksen etrafında 45° döndürün, (100) düzlemini elmas kalemle çizin, ardından {110} yarma düzlemi boyunca yırtın. Şekil 1d, yarılmış kenarın SEM görüntüsüdür, ölçek çubuğu 20 µm. Kesit son derece düz ve temizdir, hiçbir erime izi yoktur, p-n ekleminin yapısını ve elektriksel bütünlüğünü mükemmel şekilde korur. 'İçsel davranışı' incelemenin anahtarı budur. Bu çalışma üç ana akım n-tipi yüksek verimli hücre teknolojisine bakmaktadır: TOPCon, SHJ ve TBC. Ortak bir özelliği paylaşırlar. n-tipi c-Si alt tabaka üzerinde hem bir p-n eklemi (homo veya hetero) hem de bir n-n+ yüksek-düşük eklemi taşırlar. Bu nedenle kenar davranışlarını incelemek gerçek endüstriyel üretim için doğrudan rehberlik sağlar. Şekil 2. TOPCon, SHJ ve TBC hücrelerinin ön yüz kenar fotovoltaj analizi. Şekil 2a, 532 nm lazerin hücre ön yüzey kenarından içeriye doğru tarandığını, XY hassas tabla ve elektriksel amplifikatör ile fotovoltaj sinyalinin gerçek zamanlı kaydedildiğini ve sonunda 2D fotovoltaj haritasının oluşturulduğunu gösterir. Şekil 2b, TOPCon, SHJ ve TBC'nin (soldan sağa) ön yüz fotovoltaj görüntüsüdür. Daha parlak renk daha yüksek fotovoltaj anlamına gelir. Üç hücre de kenardan ~100 µm içinde belirgin bir 'gradyan bandı' gösterir, kenara daha yakın yerlerde fotovoltaj daha düşüktür. Bu, kenar rekombinasyon kaybının doğrudan kanıtıdır. Üçünü karşılaştırırsak: TOPCon en yüksek fotovoltaja (0.40–0.55 V) sahiptir ve en hızlı doyuma ulaşır. TBC en düşük (0.36–0.49 V) ve en yavaş azalır, yani kenar rekombinasyonu en kötüdür. Bu sonuç, 'p-n eklemi darboğazdır' sağduyusuna aykırıdır, çünkü ön yüz (ışığa bakan yüz) genellikle p-n ekleminin bulunduğu yerdir. Şekil 2c, Şekil 2b'deki siyah kesikli çizgi boyunca çıkarılan fotovoltaj profilini normalleştirir. Üç eğri de 'kenarda düşük, platoda yüksek' gösterir, ancak doyum hızı (kenar rekombinasyon uzunluğunu yansıtır) açıkça farklıdır: - TOPCon: en kısa azalma bölgesi, yaklaşık 100 µm içinde doyuma yakın, en küçük kenar kaybı. - SHJ: orta aralık azalma bölgesi, ~200 µm'de doyuma yakın. - TBC: en yavaş toparlanma, tam doyuma kadar ~500 µm'ye kadar uzanır, en kötü kenar kaybı. Şekil 2d, farklılıkların arkasındaki fiziği açıklar. Fotogenerasyonla oluşan bir delik iki şeyden birini yapar: bir elektrot tarafından toplanmak veya kenara sürüklenip rekombine olmak. ### TOPCon: ön yüzde emitör, ultra kısa delik toplama yolu Ön yüzey bir p+ emitördür. Deliklerin, ön elektrot tarafından toplanabilmesi için yalnızca çok ince emitörü geçmesi gerekir, bu nedenle çoğu delik kenara ulaşma "şansını asla bulamaz". Aynı zamanda, p+ emitör / SiOx / n-poli-Si tarafından oluşturulan güçlü alan kenarda da etkili kalır ve taşıyıcıları hızla ayırır. TOPCon'un en küçük kenar kaybına sahip olmasının temel nedeni budur. ### SHJ: ön yüzey elektronları toplar, delikler uzun yolu alır SHJ ön yüzeyi n-a-Si:H'dir ve elektronları toplar. Deliklerin toplanabilmesi için arka p-a-Si:H'ye kadar difüze olması gerekir; bu çok uzun bir yoldur. Yüksek iletkenliğe sahip TCO katmanının bir "otoyol" gibi davranarak birçok deliği yanal olarak kenara taşıması, kenar rekombinasyonunu belirgin şekilde artırır. ### TBC: tüm elektrotlar arkada, tamamen yok olma TBC'de tüm elektrotlar arkada bulunur. Ön yüzeyde üretilen taşıyıcılar, toplanmak için tüm plaka boyunca yanal olarak hareket etmelidir. Daha da kötüsü, ön Al2O3 pasivasyon katmanı çok sayıda sabit negatif yük taşır; bu, Si yüzeyinde bir delik birikim katmanı oluşturur ve delikleri kenara daha da güçlü iten bir "delik iletim kanalı" oluşturur. Kısa not: ön yüzey fotovoltaj davranışı esas olarak iki şey tarafından belirlenir: "taşıyıcı toplama mesafesi" ve "yanal bir taşıma kanalının var olup olmaması". Bunun p-n ekleminin yönüyle hiçbir ilgisi yoktur. Şekil 3. TOPCon, SHJ ve TBC hücrelerinin arka kenar fotovoltaj analizi. Şekil 3a, arka kenardan lazer taramasını gösterir. Şekil 3b, buna karşılık gelen 2D fotovoltaj haritasıdır. Şekil 2b ile karşılaştırıldığında, üç hücrenin tümü ön yüzeye göre daha düşük arka fotovoltaj gösterir (çünkü ön yüzey genellikle daha iyi yansıma önleyici tasarıma ve daha yüksek ışık kullanımına sahiptir). Şekil 3c ilginç bir şey ortaya koyar: arka kenar "kazananı" TBC olur. SHJ'nin de arkada bir p-n eklemi olmasına rağmen, kenar fotovoltajı aslında TOPCon'dan daha düşüktür; bu, "p-n eklem konumunun" kenar kaybını belirleyen tek faktör olmadığını gösterir. Şekil 3d, arka taraftaki azınlık taşıyıcı taşıma mekanizmasını gösterir. Arka taraf özeldir: arka n-poli-Si yüksek konsantrasyonda elektron tutar ve delikleri baskılayan ancak elektron toplanmasını destekleyen güçlü bir alan ortamı oluşturur. ### TOPCon arka tarafı: delik "hızlı şeridi" bastırılmıştır Arka n-poli-Si'deki yüksek elektron konsantrasyonu, delik taşınımını baskılar. Delikler, toplanmadan önce ön p+ emitöre ulaşmak için tüm n-tipi c-Si alt tabakasını geçmek zorundadır. Bu "uzun mesafeli taşınım", arka taraf fotogerilimini genellikle düşürür, ancak kenara ulaşan delik sayısını da azaltır. ### SHJ arka tarafı: heteroeklem güçlüdür, ancak TCO çift ucu keskin bir kılıçtır SHJ'nin n-tipi c-Si / p-a-Si:H heteroeklemi gerçekten TOPCon'dan daha güçlü taşıyıcı ayrımı sunar, ancak TCO'su düşük yanal dirence sahiptir ve yine de deliklerin önemli bir kısmını kenara "kısa devre" yapar. Sonuç: güçlü ayrım yeteneği, düşük kenar kaybı anlamına gelmez. ### TBC arka tarafı: delik HSC'si tam arkada, bir iç saha avantajı TBC'nin arka taraf HSC'si, fotogenerated deliklerle doğrudan karşı karşıyadır. Taşıyıcılar tam arkada toplanır, bu yüzden kenara çok daha az akar ve arka taraf fotogerilimi en hızlı doyuma ulaşır. Hızlı not: arka taraf fotogerilim davranışı, ön tarafa göre "ters" bir eğilim gösterir. TBC ön tarafta en kötü, arka tarafta en iyidir; bu, "hangi taraf ışığa bakar"ın "hangi taraf p-n eklemidir"den daha önemli olduğunu gösterir. Şekil 4. TOPCon ve SHJ hücrelerinin kesitsel fotogerilim dağılım modeli. Şekil 2 ve 3 kenara "yandan" bakıyorsa, Şekil 4 onu "enlemesine" dilimler. Lazer doğrudan kesit üzerinde tarar, böylece p-n bağlantısından n-n+ bağlantısına kadar tüm elektriksel davranışı tek seferde görürsünüz. Bu, çalışmanın en özgün kısmıdır. Şekil 4a, TOPCon'un kesitsel fotovoltaik haritasıdır; soldan sağa ön taraf (p+ emitör / p-n bağlantısı) ve arka taraf (n-poli-Si / n-n+ bağlantısı). Sol tarafın (p-n bağlantısı) genel olarak daha parlak, sağ tarafın (n-n+) ise daha koyu olduğunu görebilirsiniz. Şekil 4b'de çıkarılan eğri çok nettir: p-n bağlantısı tarafından n-n+ tarafına doğru fotovoltaik monoton bir şekilde düşer ve tüm azalma bölgesi yaklaşık 100 µm civarındadır. Bu sonuç, "p-n bağlantısının kenar kaybının darboğazı olduğu" şeklindeki geleneksel görüşü kesin bir şekilde reddeder, çünkü düşük hasar koşullarında p-n bağlantısı tarafı bunun yerine yüksek fotovoltaik bölgesidir. Şekil 4c fiziksel nedeni verir: p-n bağlantısı tarafında (p+ emitör) azınlık taşıyıcıları (delikler) toplanmak için yalnızca kısa bir mesafe kat ederken, n-n+ tarafında (n-poli-Si bölgesi) delikler p+ emitöre ulaşmak için tüm n-tipi c-Si'yi geçmek zorundadır; bu, yüksek rekombinasyon olasılığına sahip uzun bir yoldur, bu nedenle kayıp daha büyüktür. Şekil 4d–f, SHJ hücrelerinde tam olarak aynı eğilimi gösterir: arka p-n bağlantısından (p-a-Si:H / n-c-Si) ön n-n+ bağlantısına (i/n-a-Si:H / n-c-Si) fotovoltaik yine monoton bir şekilde düşer. Bu düzenliliğin farklı hücre yapılarında geçerli olması, çalışmanın temel argümanlarından biridir. Bunu nicel olarak tanımlamak için ekip, tek boyutlu bir azınlık taşıyıcı difüzyon modeli türetti. Şekil 4g model şemasıdır; p-n bağlantısı tarafından (delik seçici kontak, HSC) ESC tarafına (elektron seçici kontak, ESC) doğru monoton bir şekilde azalan eğriyi (turuncu) gösterir. Şekil 4h, HSC ve ESC taraflarındaki taşıyıcı davranışını daha da karşılaştırır: - HSC tarafı: azınlık taşıyıcıları (delikler) kısa bir mesafede toplanır, rekombinasyon olasılığı düşüktür. - ESC tarafı: azınlık taşıyıcıları HSC'ye ulaşmak için uzun bir mesafe kat etmek zorundadır ve yol boyunca yoğun şekilde rekombine olurlar. - p-n bağlantısının taşıyıcı ayırma mekanizması, ağır katkılı kontak artı pasifleştirilmiş kontağın çifte faydasına sahiptir ve düz bir yüksek-düşük bağlantıdan (n-n+) daha verimlidir. Kısa not: kesitsel fotovoltaik model, "p-n bağlantısı tarafının elektriksel performansının n-n+ tarafından daha iyi olduğunu" nicel olarak doğrular ve kenar kaybını değerlendirmek için yeni bir metrik olarak "azınlık taşıyıcı difüzyon uzunluğu L" önerir. Şekil 5. Endüstriyel termal lazer ayırma (TLS) yöntemiyle yapılmış bir TOPCon hücresinin kesitsel fotovoltaik analizi. 45° yarma yönteminden elde edilen sonucun endüstriyel kesim için de geçerli olup olmadığını kontrol etmek için ekip, "termal lazer ayırma" (TLS) yöntemini kullandı (Şekil 5a) — önce bir lazer p-n bağlantı tarafını ön işleme tabi tutar (şekildeki Pre-grooving), ardından soğutma suyu ayırmaya yardımcı olur. TLS, günümüzde kabul gören düşük hasarlı kesim tekniklerinden biridir. Şekil 5b, TLS kesiminden sonra TOPCon'un kesit fotovoltaj görüntüsüdür: sol taraf (p-n bağlantı) sağ taraftan (n-n+) açıkça daha parlaktır. Şekil 5c'deki nicel eğri, p-n bağlantıdan arka tarafa doğru fotovoltajın hâlâ monoton bir şekilde düştüğünü ve 45° yarma sonucuyla tamamen tutarlı olduğunu göstermektedir. Ana doğrulama: endüstriyel TLS yöntemiyle bile (doğrudan p-n bağlantı tarafından dilimleme), fotovoltaj hâlâ "yüksek p-n bağlantı, düşük n-n+" eğilimini gösterir. Bu, düşük hasarlı kesimde "p-n bağlantısının" hiçbir şekilde darboğaz olmadığını, aksine avantajın olduğu yer olduğunu söyler. TLS kesiminde "p-n bağlantı tarafının daha iyi performans gösterdiği" yönündeki önceki endüstri deneyimi, nihayet hem deney hem de teori ile doğrulanmıştır. Şekil 6. TBC ve THBC hücrelerinin kesit fotovoltaj analizi ve düşük hasarlı p-n bağlantı kesim stratejisinin şematik gösterimi. Şekil 6a ve 6b, TBC ve THBC hücrelerinin kesit fotovoltaj görüntüleridir. TBC en yüksek fotovoltaja sahiptir, 0,39 V ve THBC biraz daha düşüktür (0,21 V), ancak her ikisi de net "parlak p-n bağlantı, karanlık n-n+" uzamsal dağılımını gösterir. Şekil 6c ve 6d'de çıkarılan eğriler, Şekil 4 ile aynı deseni izler: p-n bağlantıdan n-n+'ya doğru monoton düşüş. Özel olarak bahsedilmesi gereken, Şekil 6c'deki küçük ek görseldir: her hücre yapısı için fotovoltajın "yönsel dağılımı", "üst-sol yoğun, alt-sağ seyrek" bir desen gösterir; bu, p-n bağlantı tarafının elektriksel avantajının yapılar ve süreçler arasında evrensel olduğu anlamına gelir. Şekil 6e, arka temaslı hücreleri özel kılan şeyi açıklar: HSC, arkadaki "yakındaki" delikleri toplar ve ESC, arkadaki "yakındaki" elektronları toplar. p-n bağlantı bölgesinde üretilen azınlık taşıyıcıları (delikler) HSC'ye ulaşmak için yalnızca kısa bir mesafe kat etmek zorundadır, bu nedenle kayıp küçüktür; n-n+ bölgesindeki azınlık taşıyıcıları uzun bir yol kat etmek zorundadır, bu nedenle kayıp daha büyüktür. Bu desen, TOPCon ve SHJ ile tam olarak eşleşir. Tüm bu kanıtlara dayanarak ekip, Şekil 6f'de yepyeni bir kesim stratejisi önerdi: ### Endüstri önerisi Düşük hasarlı kesimde (TLS gibi), p-n birleşim tarafından dilimlemelisiniz. Neden: p-n birleşim tarafı daha yüksek taşıyıcı ayırma verimliliğine ve daha kısa azınlık taşıyıcı taşıma yoluna sahiptir. Bazı proses bozuklukları altında bile iyi elektriksel performansı korur. Bu öneri, yirmi yıllık 'p-n birleşimine dokunmaktan kaçının' endüstri uygulamasını alt üst ediyor. ## Ooitech'in Görüşü Dürüst olmak gerekirse bu, manşet özelliklerinden ziyade hat seviyesindeki bir alışkanlığı sessizce yeniden yazan bulgulardan biri. N-tipi hat işleten herkes için çıkarım: lazer kesim reçetenizi hücrenin kendi taşıyıcı fiziğiyle eşleştirin ve eski kural olduğu için çizgiyi körü körüne n-n+ tarafına koymayın. Düşük hasarlı ayırma (TLS tarzı) buradaki gerçek etkinleştirici ve bu prosesi bir güneş hücresi lazer kesim makinesinde ayarlamak, modül üreticilerinin gerçek Voc ve FF kazandığı veya kaybettiği yerdir. Kesme ve şeritleme istasyonlarımızı TOPCon, SHJ ve BC formatlarında kenar hasarını düşük tutacak şekilde üretiyoruz, bu yüzden bu tür araştırmalar doğrudan üretime uyarlanıyor. Bu adımların çalışan bir hatta nasıl göründüğünü görmek isterseniz, Ooitech YouTube kanalı [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) takip etmeye değer. --- ##### Etiketler : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Teklif İste Tüm yüklemeler güvenli ve gizlidir. ## Güvenebileceğiniz uzmanlık sunuyoruz hizmetimiz Doğrudan Fabrikadan Ekipman. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Maliyet Avantajları Müşteriler için sonuçları maksimize ederken bütçeleri optimize ederek olağanüstü değer sunuyoruz. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Deneyimli Ekibimiz Yetenekli profesyonellerimiz yenilikçi çözümler ve özel stratejiler konusunda uzmanlaşmıştır. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ Yıl Sektör Deneyimi Derin uzmanlık, başarı için güvenilir, trend bilincine sahip ve kanıtlanmış sonuçlar sağlar. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Müşterilerimiz Ne Diyor bizim hakkımızda Müşteri referansları, zorluklarını derinlemesine anlamamızı övüyor ve bu da yenilikçi çözümlere ve güçlü yatırım getirisine yol açıyor. On yılı aşkın süredir devam eden işbirlikleri, güvenlerini ve memnuniyetlerini gösteriyor. Başarı hikayeleri, beklentileri sürekli aşmamız için bizi motive ediyor. [Daha Fazla Bilgi **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Fabrikayı iyileştirip düzelttiğiniz ve ayrıca işçilere makineleri nasıl kullanacaklarını öğrettiğiniz için çok ama çok büyük yardımınız için tekrar teşekkür ederiz. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filipinler ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Tam otomatik üretim ekipmanlarını sağladığı için Ooitech'e teşekkürler—kurulum ve satış sonrası hizmetiniz mükemmeldi. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Büyük ruhlu bir adam. Ziyaretiniz için çok teşekkür ederim Bay Wu. Ekipman kurulumu ve öğrencilerime eğitim verme konusunda sağlanan hizmetler için çok teşekkür ederim. Alanında en nazik kişi ve profesyonel ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Cizzak Politeknik Enstitüsü ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ooitech'e, yüksek uygunlukta BC güneş hücresi deneysel ekipmanı sağladığı için teşekkürler. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) ooitech'in profesyonel desteği ve zamanında satış sonrası hizmeti için teşekkür ederiz. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Afrika'dan Diarra ## En Yeni Ürünlerimiz ![SAW-100A Layup ve Bara Makinesi: ≤%0,3 Kırılma](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp) - [** Rachael](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) - [** 19519](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) ### SAW-100A Layup ve Bara Makinesi: ≤%0,3 Kırılma Ooitech SAW-100A Otomatik Serim ve Bara Entegre Makinesi, yüksek verimli hücre string serimi ve terminal bara kaynağı sağlar ![Ara Bağlantı Busbar – Güneş Hücresi Dizi Akımı](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713037538.jpg.webp) - [** Rachael](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) - [** 96688](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) ### Ara Bağlantı Busbar – Güneş Hücresi Dizi Akımı Güneş modülü montajı için yüksek saflıkta kalaylı bakır yapıya sahip premium ara bağlantı busbar çözümleri ![Güneş Hücresi Dizme Makinesi WS-CL80D: 48s Çevrim, ±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12228](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Güneş Hücresi Dizme Makinesi WS-CL80D: 48s Çevrim, ±0.1mm Ooitech WS-CL80D Otomatik Güneş Hücresi Dizme Makinesi, çift gantry çift tutucu bağımsız çalışma, 0.01mm hassasiyetle lineer motor tahrikli ana eksen özelliklerine sahiptir ![OPT-M960B EL & VI Test Cihazı: 0.1mm/piksel, Intel i7](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774351816741704.webp) - [** Rachael](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) - [** 43507](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html) ### OPT-M960B EL & VI Test Cihazı: 0.1mm/piksel, Intel i7 Ooitech, SONY endüstriyel kameralarla profesyonel güneş paneli EL test cihazı ve VI test cihazı makineleri (OPT-M960B, OPT-M951B, OPT-M950B) sunar ![BD03 Çerçeve Yapıştırma Makinesi: Metre başına 3-4 sn, 2500mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506308732524.webp) - [** Rachael](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) - [** 51726](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html) ### BD03 Çerçeve Yapıştırma Makinesi: Metre başına 3-4 sn, 2500mm BD03 CNC çerçeve yapıştırma makinesi – hassas konumlandırma, otomatik besleme ve eşit tutkal dağıtımı ile otomatik alüminyum çerçeve yalıtım uygulaması ![XJCM-13A+ Güneş Modülü IV Test Cihazı: A+ Sınıfı, 25s](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp) - [** Rachael](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) - [** 67421](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) ### XJCM-13A+ Güneş Modülü IV Test Cihazı: A+ Sınıfı, 25s XJCM-13A2615 IV test cihazı – A+A+A+, 2600×1500mm, PERC, HJT, TOPCon ve IBC için 10–100ms darbe. Kapasitans etkisini ortadan kaldırır. IEC 60904-9:2020 uyumludur.